MRAM heißen die neuen Speicherbausteine. Sie sind doppelt so schnell wie DRAM und behalten ihre Daten auch dann noch, wenn der Strom abgeschaltet wird. Das kann man einer Pressemitteilung des Herstellers Freescale von heute entnehmen.
MRAM basiert auf magnetischen Eigenschaften des Speichermaterials und nicht auf elektrischen, deswegen benötigen sie keine permanente Stromversorgung. Die Zugriffszeiten für Lesen und Schreiben liegen mit 35 Nanosekunden deutlich unter denen von DRAM-Bausteinen mit 50-70 NS.
Außer für Computerspeicher ist MRAM auch für die zahllosen mobilen Geräte mit Flash-Speicher interessant, weil MRAM schneller ist und vor allem nicht altert. Flash-Speicher sind nur einige tausend Mal beschreibbar.
Die Massenproduktion der neuen Speicher-Chips hat begonnen und erste Kunden gibt es auch schon.
Quelle: Freescale.com (englisch)
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Bei mir ist aktuell DDR-(SD)RAM sowiso auch SDRAM im Einsatz (natürlich nicht in den selben Systemen). Und diese Techniken dürften Zugriffszeiten von unter 35ns haben. Die alten FPM Module die noch in PS/2-Bauform kamen hatten damals Zugriffszeiten von 60 oder 70ns, mit EDO-RAM ging es dann runter auf 40ns und mit SD-RAM natürlich nochmal ein bisschen weiter nach unten (hatte irgendwann vor Jahren mal was mit 7/8ns gelesen - das käme mir dann aber schon sehr wenig vor)...
Zum Cache-Speicher: Das wäre wohl kaum bezahlbar und auch nur schwerlich realisierbar, den kompletten Arbeitsspeicht mit vollem CPU-Takt laufen zu lassen ;-)
Gruß
Borlander