MRAM heißen die neuen Speicherbausteine. Sie sind doppelt so schnell wie DRAM und behalten ihre Daten auch dann noch, wenn der Strom abgeschaltet wird. Das kann man einer Pressemitteilung des Herstellers Freescale von heute entnehmen.
MRAM basiert auf magnetischen Eigenschaften des Speichermaterials und nicht auf elektrischen, deswegen benötigen sie keine permanente Stromversorgung. Die Zugriffszeiten für Lesen und Schreiben liegen mit 35 Nanosekunden deutlich unter denen von DRAM-Bausteinen mit 50-70 NS.
Außer für Computerspeicher ist MRAM auch für die zahllosen mobilen Geräte mit Flash-Speicher interessant, weil MRAM schneller ist und vor allem nicht altert. Flash-Speicher sind nur einige tausend Mal beschreibbar.
Die Massenproduktion der neuen Speicher-Chips hat begonnen und erste Kunden gibt es auch schon.
Quelle: Freescale.com (englisch)
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Interessant.
Ich glaube nicht, dass sich das durchsetzt.
Magnetspeicher haben gegenüber den elektrischen den scheiß großes Problem: magnetfelder.
Kann mir ncht vorstellen, dass das Netzteil etc. die Steine nicht beeinflusst, wenn sie im Gehäuse soweit zusammen klemmen.
EEPROMs sind z.B. beim Chiptuning für Autos, soweit ich weiß, und die halten sich da gut.
Man muss sehen, wofür mans braucht, aber ich denke mal, dass es nicht die Reaktionszeit macht, sodnern eher in Zulunft das Datenvolumen, weil das steigt ja von Jahr zu jahr immer weiter an . vorallem das an den RAM.