Es handelt sich um Elektronen-Migration, nicht Diffusion. Dabei wird die CPU nicht durchlöchert.
Elektromigration (EM) ist ein vieldiskutierter Versagensmechanismus in dünnen Leitbahnen infolge von strominduziertem Materialtransport.
Unklarheit herrscht jedoch über die Anfangsstadien des Migrationsprozesses, die durch die Bildung mikroskopisch kleiner Hohlräume (voids) und Materialanhäufungen (hillocks) gekennzeichnet sind. Als Einflußgrößen werden u.a. die Gefügemorphologie (Korngröße, Kornform, Korngrenzen) und auch die kristallographische Textur (Orientierung der Körner allgemein und zueinander) angesehen.
Bei großen Kabeln fällt das nicht ins Gewicht, bei den winzigen Strukturen der Leiterbahnen in Halbleiterchips aber schon. Ausgewaschene Moleküle führen zu Fehlstellen, sodass sich an diesen Stellen der Leiterwiderstand und die Stromflussdichte erhöhen. Das wiederum verstärkt den Effekt der Elektromigration, bis zum Schluss der Leiter unterbrochen ist -- die Schaltung fällt aus.
Umgekehrt kann Elektromigration auch Kurzschlüsse zwischen eng benachbarten Leiterbahnen hervorrufen, wenn sich die anderswo abtransportierten Moleküle an einer Stelle anlagern. Sie bilden dort einen Vorsprung, an dem je nach Spannungsgefälle hohe elektrische Feldstärken auftreten. Das wiederum beschleunigt die Anlagerung weiterer Moleküle, bis irgendwann eine Brücke zu einem anderen Leiter entsteht; auch dann fällt der Schaltkreis aus.
Darüber gibt es auch von intel Veröffentlichungen:
http://www.intel.com/technology/itj/q31998/articles/art_2.htm
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