hallo leute, habe folgendes problem:
bisher hatte ich 512MB Ram (Infineon+Infineon CL 2.5 DDRAM PC333) und habe jetzt aufgerüstet: nochmal 512MB (Major PC3200 ( DDR400 ) CL2,5).
meines wissens wird der schnellere einfach auf das nieveau des langsameren runtergetaktet.
jetzt habe ich mal einen benchmark-test durchlaufen lassen (CrystalMark 9.0), der ergeben hat, dass die speicherleistung sich gar nicht verändert (!)- egal, ob der infineon+infineon, der major oder beide drin stecken. die speicher werden dabei alle erkannt!
kann das stimmen?
wenn ja: woran kann das liegen?
mit was für einem speichermodul sollte ich am besten nachrüsten?
danke & grüsse, david
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Windows XP SP1, Athlon XP 2500+, Asus A7V600-X, NVIDIA GeForce FX 5200, 1GB RAM (512MB Infineon DDRAM PC333 CL2.5 + 512MB Major DDR400 CL2,5), Samsung SP1614N 160GB
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folgender bericht wurde mit everest erstellt:
[ DIMM1: 512 MB PC3200 DDR SDRAM ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Seriennummer Keine
Modulgröße 512 MB (2 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC3200 (200 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 200 MHz 2.5-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS)
Speichermodulbesonderheiten:
Early RAS# Precharge Nicht unterstützt
Auto-Precharge Nicht unterstützt
Precharge All Nicht unterstützt
Write1/Read Burst Nicht unterstützt
Buffered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
Registered Address/Control Inputs Nicht unterstützt
On-Card PLL (Clock) Nicht unterstützt
Buffered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Registered DQMB Inputs Nicht unterstützt
Differential Clock Input Unterstützt
Redundant Row Address Nicht unterstützt
[ DIMM2: Infineon 64D64320GU6B ]
Arbeitsspeicher Eigenschaften:
Modulname Infineon 64D64320GU6B
Seriennummer 0D017A12h
Herstellungsdatum Woche 3 / 2004
Modulgröße 512 MB (2 rows, 4 banks)
Modulart Unbuffered
Speicherart DDR SDRAM
Speichergeschwindigkeit PC2700 (166 MHz)
Modulbreite 64 bit
Modulspannung SSTL 2.5
Fehlerkorrekturmethode Keine
Auffrischungsrate Reduziert (7.8 us), Self-Refresh
Speicher Timings:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
