Hi
Ich hab Dir mal ein paar Bios Tips zum Thema Speicher
von meiner HP kopiert:
SDRAM (Cas Latency/RAS-To CAS)
Die Einstellung kann 2/2 oder 3/3 Takte sein, was natürlich von der
Qualität des SDRAM abhängt. Ein Timing von 2/2 wäre optimal, was
allerdings zu Problemen führen kann, dann müssen die Default Werte
verwendet werden.
DRAM Precharge to Active
Diese Option ermöglicht ein weiteres SDRAM Tuning. Durch die
Einstellung von 2T tritt eine Performancesteigerung ein.
Bei Problemen muß auf 3T erhöht werden.
SDRAM RAS Precharge Time
Es kann auch SDRAM RAS Precharge oder SDRAM RAS# Precharge
heißen. Hier legt man fest wie viel Zeit dem RAS-Signal zum Aufbau des
Refreshs bleibt. Je kürzer die Zeit umso schneller wird das System.
Optimal ist 2T.
SDRAM RAS to CAS Delay
Regelt die Zeitspanne zwischen dem RAS und CAS Signal.
Optimal sind 2 CLKs, bei Problemen muß auf 3 CLKs gestellt
werden.
SDRAM Speculative Leadoff
Bei Enabled wird der erste Teil des Burst Zugriffs beschleunigt.
Diese Option sollte aktiviert sein.
SDRAM Timing
Gibt das Memory-Timing der SDRAMS an. Ist By SPD eingestellt,
dann übernimmt das BIOS die Werte die der Hersteller programmiert
hat. Bessere Performance kann man durch manuelles einstellen erreichen,
was allerdings auch zur Instabilität des Systems führen kann.
Super Bypass Mode
Diese Option sorgt in den Newsforen immer wieder für Diskussionen,
da hier gehäuft Probleme auftreten. Sinn dieser Option ist es den
Speicherzugriff zu beschleunigen. Falls es das System toleriert sollte dieser
Mode auf Enabled geschaltet werden.
SDRAM CAS Latency Time
Es kann auch SDRAM CAS# Latency oder SDRAM CAS Latency
heißen. Mit dieser Option kann man die Zeit einstellen, nach der die
Daten der CPU nach dem SDRAM-Lesekommandos zur Verfügung
stehen. Optimal ist 2T. Bei Speicherfehlern ist 3T angesagt
DRAM Fast Leadoff
Erlaubt das Abschalten des Leadoffzyklus, was die Systemperformance
erhöht. Disabled ist hier empfehlenswert.
PQ.
balu11
