Warum ist eigentlich SD besser als EDO? Liegt es an der Bitübertragungsrate? Der FSB ist ja gleich. Und die Anzahl der Pole auch. Und warum ist DDR so viel besser als SD? Für eine Aufklärung wäre ich sehr dankbar.
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1. das liegt am Interleaving:
Dies ist ein Verfahren zur Erhöhung des Speicherdurchsatzes. Hierbei werden die Datenworte (z.B. 32 Bit breit) nicht sequentiell in den Speicher geschrieben, sondern alternierend auf verschiedene Speicherbänke. Dies hat seinen Grund darin, dass DRAMs nach dem Schreiben für eine gewisse Zeit nicht ansprechbar sind; diese Zeit muss bei Einsatz von Interleaving nicht vertrödelt werden, sondern es wird in der nächsten Speicherbank weitergeschrieben. Theoretisch ist damit (bei 2X-Interleaving) eine Verdoppelung des Speicherdurchsatzes möglich; die 32-Bit-Grafikkarten mit Chips wie Tseng ET4000/W32i/p bzw. S3 805i kamen an dieses Ideal schon recht nahe heran. Beim Hauptspeicher des PCs bringt Interleaving aber nicht ganz soviel. Erwähnenswert ist vielleicht noch, dass heutzutage einzelne Speichermodule logisch mehrere Speicherbänke darstellen, so dass sogar 4X-Interleaving innerhalb eines Moduls möglich ist. 2-Way-Interleaving geht ab 16MBit ICs, 4-Way-Interleaving ab 64MBit ICs auf den Modulen. Siehe auch Kapitel 8.4.6.
Fastpage-DRAM, EDO-DRAM: Verschiedene Typen von DRAMs auf Speicherbausteinen, bei denen weniger Zeit für Refreshzyklen draufgeht als bei der Urform der DRAMs. EDO-DRAMs sind schneller als Fastpage-DRAMs, unterstützen aber kein Interleaving.
SDRAM: SDRAM läuft synchron zum externen Takt des Prozessors (Synchronous DRAM), ist wieder ein bisschen schneller als EDO-DRAM und unterstützt auch Interleaving.
2.
DDR/QDR: Bei DDR (Double Data Rate, hat nichts mit der deutsch-deutschen Vergangenheit zu tun) werden pro Datentakt zweimal Daten übertragen, bei QDR (Quad Data Rate) gar viermal.
http://www.dch-faq.de/kap08.html